路由網(wǎng)通過 BIOS 設(shè)置調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓：進(jìn)入 BIOS 設(shè)置并找到內(nèi)存設(shè)置。查找標(biāo)記為“內(nèi)存電壓”、“DRAM 電壓”或“VDD”的電壓設(shè)置。穩(wěn)定性問題時降低電壓，優(yōu)化性能時增加電壓，每次調(diào)整0.05V。保持在安全電壓范圍內(nèi)（DDR4 為1.2V 至1.5V）。調(diào)整后運(yùn)行內(nèi)存測試工具以檢查穩(wěn)定性。
如何調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓
內(nèi)存電壓是影響內(nèi)存性能和穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓可以優(yōu)化系統(tǒng)性能或解決穩(wěn)定性問題。
入門步驟：
- 進(jìn)入 BIOS 設(shè)置：通常在計(jì)算機(jī)啟動時按特定鍵（如 F2 或 Del），具體取決于主板。
- 找到內(nèi)存設(shè)置：導(dǎo)航到內(nèi)存設(shè)置部分，通常稱為“內(nèi)存”、“DRAM 配置”或“內(nèi)存計(jì)時”。
- 查找電壓設(shè)置：尋找標(biāo)記為“內(nèi)存電壓”、“DRAM 電壓”或“VDD”的選項(xiàng)。
調(diào)節(jié)電壓：
- 增加電壓：要提高內(nèi)存性能，您可以逐漸增加電壓。在少量增量內(nèi)進(jìn)行操作，例如每次 +0.05V。
- 降低電壓：如果遇到穩(wěn)定性問題，您可以嘗試降低電壓以提高穩(wěn)定性。同樣，每次以少量增量減少電壓，例如每次 -0.05V。
安全范圍：
不同內(nèi)存類型有不同的安全電壓范圍。一般來說，DDR4 內(nèi)存的典型安全范圍為 1.2V 至 1.5V。請務(wù)必參考主板和內(nèi)存模塊制造商的建議。
測試穩(wěn)定性：
每次調(diào)整電壓后，請運(yùn)行內(nèi)存測試工具（例如 MemTest86+）以檢查是否存在錯誤。這將確保在調(diào)整過程中系統(tǒng)保持穩(wěn)定。
提示：
- 請先嘗試小幅調(diào)整電壓。
- 僅調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓，不要同時調(diào)整其他設(shè)置。
- 如果仍然遇到穩(wěn)定性問題，請檢查其他組件，例如主板、電源或散熱器。
- 始終保存 BIOS 設(shè)置更改，然后重新啟動計(jì)算機(jī)以使調(diào)整生效。
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